华北电力大学(保定)孙玉巍获国家专利权
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龙图腾网获悉华北电力大学(保定)申请的专利一种半波整形多电平交交换流器拓扑及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118523636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410605268.1,技术领域涉及:H02M5/458;该发明授权一种半波整形多电平交交换流器拓扑及其控制方法是由孙玉巍;常泽宇;付超;陶聪;张泽霖;刘星月;俞丹丹;夏锦栋设计研发完成,并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半波整形多电平交交换流器拓扑及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种半波整形多电平交交换流器拓扑及其控制方法,适用于低频输电等交交变频领域,包括三个相单元,每个相单元通过DAHB隔离单元连接结构对称的1侧和2侧变换器,两侧变换器均由多电平整形单元与半波换向单元构成,分别连接不同频率交流系统;多电平整形单元由半桥子模块级联而成,子模块电容为两电容串联;子模块与DAHB隔离单元共用直流电容,有利于减少电容数提高功率密度;半波换向单元为全桥电路,桥臂开关由多个器件串联,按基频周期通断,将多电平整形单元调制生成的多电平正弦半波翻转为完整正弦波。本发明应用于低频输电的控制方法为:工频侧采用定模块电容电压控制,低频侧采用定交流电压控制,DAHB采用定低频侧模块电容电压控制。
本发明授权一种半波整形多电平交交换流器拓扑及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种半波整形多电平交交换流器拓扑,其特征在于,包括: 三个结构相同的相单元电路,每个相单元电路通过双有源半桥Dual-active-half-bridge,DAHB隔离单元连接结构对称的1侧和2侧变换器,两侧变换器分别连接不同频率的交流系统; 其中,所述1侧和2侧变换器均包括多电平整形单元与半波换向单元,所述多电平整形单元由半桥子模块级联而成,子模块电容为两电容串联形式,所述半波换向单元为全桥H桥电路结构,其4个桥臂开关均由多个IGBT或IGCT串联构成,对角线桥臂开关为一组,两组开关按基频周期交替通断,其中,发射极与电感相连接的IGBT或IGCT为Q1,与Q1相连接的IGBT或IGCT为Q3,集电极与电感相连接的IGBT或IGCT为Q2,与Q2相连接的IGBT或IGCT为Q4; 所述DAHB隔离单元由两侧半桥电路及高频变压器组成,两侧半桥电路与两侧多电平整形单元子模块共用串联直流电容,高频变压器原副边绕组两端分别连接子模块串联电容的中点和半桥电路桥臂中点; DC-DC隔离级采用DAHB电路,多电平整形单元的子模块与DAHB隔离单元嵌套组合,共用串联直流电容,串联电容的中点为DAHB隔离单元提供一个交流接入点,有利于减少电容数和器件个数,提高功率密度; 所述1侧和2侧多电平整形单元分别以其所在侧交流系统频率的二倍频对应的周期为调制周期,生成对应系统二倍频率的多电平正弦半波电压; 所述1侧和2侧半波换向单元将两侧多电平正弦半波电压翻转为完整多电平正弦波电压,经滤波元件连接两侧交流系统。
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