格芯(美国)集成电路科技有限公司H·迪克西特获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114079003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110924251.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法是由H·迪克西特;V·B·奈克;山根一阳设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法。本文公开的示例性存储器基元包括：底部电极；位于底部电极上方的顶部电极；以及位于底部电极上方且位于顶部电极下方的MTJ磁隧道结结构。在该示例中，MTJ结构包括：位于底部电极上方的第一铁磁材料层；位于第一铁磁材料层上方的非磁性绝缘层；以及位于非磁性绝缘层上的第二铁磁材料层，其中非磁性绝缘层和铁磁材料层之间存在弯曲的非平坦界面。
本发明授权具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，其包括存储器基元，所述存储器基元包括： 底部电极，其位于导电结构上并且具有导电地耦合到所述导电结构的弯曲上表面的弯曲底表面； 顶部电极，其位于所述底部电极上方；以及 MTJ磁隧道结结构，其位于所述底部电极上方且位于所述顶部电极下方，其中所述MTJ结构包括： 位于所述底部电极上方的第一铁磁材料层； 位于所述第一铁磁材料层上方的非磁性绝缘层；以及 位于所述非磁性绝缘层上的第二铁磁材料层，其中所述非磁性绝缘层和所述铁磁材料层之间存在弯曲的非平坦界面， 其中，所述存储器器件还包括： 至少一个绝缘材料层，其中，所述导电结构位于所述至少一个绝缘材料层中； 附加绝缘材料层，其中，所述底部电极、所述MTJ结构和所述顶部电极位于所述附加绝缘材料层中；以及 保形蚀刻停止层，其包括位于所述底部电极、所述MTJ结构和所述顶部电极与所述附加绝缘材料层之间的第一部分和位于所述至少一个绝缘材料层的上表面与所述附加绝缘材料层的底表面之间的第二部分。
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