爱普科技股份有限公司李昱文获国家专利权
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龙图腾网获悉爱普科技股份有限公司申请的专利存储单元、存储装置及相关识别标签获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110425580.9，技术领域涉及：G11C11/40；该发明授权存储单元、存储装置及相关识别标签是由李昱文;陈文良设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储装置及相关识别标签在说明书摘要公布了：本发明揭露一存储单元，包括一闩锁、一第一可编程化熔丝及一第二可编程化熔丝。闩锁由一第一基准电压及与第一基准电压不同的一第二基准电压提供电力，且其具有一第一连接端及一第二连接端。第一可编程化熔丝具有耦接于第一连接端的一第一端及耦接于第二基准电压的一第二端。第二可编程化熔丝具有耦接于所述第二连接端的一第一端及耦接于第二基准电压的一第二端。
本发明授权存储单元、存储装置及相关识别标签在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 一闩锁，由一第一基准电压及与所述第一基准电压不同的一第二基准电压提供电力，并具有一第一连接端及一第二连接端； 一第一可编程化熔丝，具有耦接于所述第一连接端的一第一端及耦接于所述第二基准电压的一第二端； 一第二可编程化熔丝，具有耦接于所述第二连接端的一第一端及耦接于所述第二基准电压的一第二端； 一第一限制电路，依据一第一控制讯号将所述第一可编程化熔丝的所述第二端耦接至所述第二基准电压，所述第一限制电路包括： 一第一晶体管，具有一第一连接端、一第二连接端及一控制端，所述第一连接端耦接于所述第一可编程化熔丝的所述第二端，所述第二连接端耦接于所述第二基准电压，且所述控制端耦接于所述第一控制讯号；及 一第二限制电路，依据一第二控制讯号将所述第二可编程化熔丝的所述第二端耦接至所述第二基准电压，所述第二限制电路包括： 一第二晶体管，具有一第一连接端、一第二连接端及一控制端，所述第一连接端耦接于所述第一可编程化熔丝的所述第二端，所述第二连接端耦接于所述第二基准电压，且所述控制端耦接于所述第二控制讯号； 其中，所述第一晶体管及所述第二晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管，且所述第一控制讯号及所述第二控制讯号是所述第一基准电压。
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