英飞凌科技股份有限公司D·图姆波德获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利辐射源以及使用该辐射源的气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113252570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110112323.X，技术领域涉及：G01N21/17；该发明授权辐射源以及使用该辐射源的气体传感器是由D·图姆波德;C·格拉策;S·库巴克基设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本辐射源以及使用该辐射源的气体传感器在说明书摘要公布了：一种用于将窄带电磁辐射11倾斜地发射到腔体12中的辐射源10，包括：发射器结构14，该发射器结构14具有用于发射窄带电磁辐射11的主辐射发射区域14‑1，其中发射器结构14光学耦合到腔体12；以及层元件18，该层元件18耦合到发射器结构14的主辐射发射区域14‑1，其中该层元件18包括辐射偏转畸变结构20，该辐射偏转畸变结构被配置为用于相对于发射器结构14的主辐射发射区域14‑1的表面法线偏转发射器结构14的辐射发射特征。
本发明授权辐射源以及使用该辐射源的气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于将窄带电磁辐射11倾斜地发射到腔体12中的辐射源10，包括： 发射器结构14，具有用于发射所述窄带电磁辐射11的主辐射发射区域14-1，其中所述发射器结构14光学耦合到所述腔体12；以及 层元件18，耦合到所述发射器结构14的所述主辐射发射区域14-1，其中所述层元件18包括辐射偏转结构20，所述辐射偏转结构20被配置为用于相对于所述发射器结构14的所述主辐射发射区域14-1的表面法线N偏转所述发射器结构14的辐射发射特征， 其中所述层元件18的所述辐射偏转结构20包括多个导光元件22，其中所述导光元件22的定向相对于所述发射器结构14的所述主辐射发射区域14-1的表面法线有角度地偏移，其中所述导光元件22被形成为由光学不透明中间层或反射中间层24分开的倾斜透明通道23，其中所述透明通道23和所述光学不透明中间层或反射中间层24以交替且相邻配置布置，和或 其中所述导光元件22包括透明区域23和不透明壁区域或反射壁区域25，其中所述透明区域23和所述不透明壁区域或反射壁区域25以交替且相邻配置布置。
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