中微半导体设备(上海)股份有限公司陈阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011606614.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种等离子体刻蚀方法是由陈阳;张昆;周虎;刘志强设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种等离子体刻蚀方法，通过电感耦合射频激发氟甲烷、氧气、含硫氧气体和溴化氢等混合气体，形成等离子体后在脉冲偏置射频的作用下，对由前置等离子体刻蚀成的高深宽比孔进行刻蚀，适用于包括介电层和导电层堆叠组成的高深宽比的孔底部氮化硅层的刻蚀，具有对掩膜层和二氧化硅层的高选择比，可以对掩膜的顶部和侧面生成保护沉积层，减弱等离子体对掩膜的消耗，同时，抑制二氧化硅层的分解，又能维持氮化硅的高速率刻蚀，有效抑制因介电层的损失量较大导致的漏电流的增大的风险，保证制得的电子器件安全运行。通过使用脉冲偏置射频，可以消除孔底部的带电粒子引起的小分子聚合物堆积，维持高速平稳的氮化硅刻蚀速率。
本发明授权一种等离子体刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，提供一刻蚀对象，所述刻蚀对象为深宽比大于10小于30的孔，其孔底包括第一二氧化硅SiO2层、覆盖在第一二氧化硅层上的氮化硅Si3N4层，其孔壁包括掩膜层、介电层和或导电层；该方法包括以下步骤： a将反应气体包括氟甲烷CH3F、氧气O2、含硫氧气体和溴化氢HBr通入反应腔； b施加高频射频将所述气体激发成等离子体； c施加偏置射频对所述氮化硅层进行刻蚀； 所述氧气与氟甲烷的流量比为0.66-1.5:1； 溴化氢与氧气的流量比为0.45-0.85:1； 含硫氧气体与氧气的流量比为0.3-1:1； 在确保所述氮化硅层对所述第一二氧化硅层具有高选择比的同时，提升所述氮化硅层对所述掩膜层的选择比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号