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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010418876.3，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法是由方冬;肖魁设计研发完成，并于2020-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，包括：第一导电类型漂移区；第二导电类型体区，形成于漂移区内；第一导电类型源区，形成于体区内，源区开设有延伸至漂移区内的沟槽；沟槽内填充有相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度，定义第一导电结构中深度超过第二导电结构底部深度的部分为场板调节结构；第一掺杂区，具有第二导电类型，形成于漂移区内且与体区相接，第一掺杂区的底部深度超过场板调节结构的顶部深度；源区、体区与源极连接；第二导电结构与栅极连接。通过形成第一掺杂区和场板调节结构，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。

本发明授权沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括： 漂移区，具有第一导电类型，形成于半导体衬底上； 体区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区的上表层； 源区，具有第一导电类型，形成于所述体区的上表层； 沟槽，依次穿透所述源区和所述体区并延伸至所述漂移区内； 填充结构，包括填充于所述沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构、以及形成于所述第一导电结构与沟槽内壁之间和所述第二导电结构与所述沟槽内壁之间的氧化层，所述第一导电结构底部深度超过所述第二导电结构底部深度，定义第一导电结构中深度超过所述第二导电结构底部深度的部分为场板调节结构； 第一掺杂区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区内且与所述体区的下表面相接，所述第一掺杂区与所述沟槽间隔设置，所述第一掺杂区的底部深度超过所述场板调节结构的顶部深度； 源极引出结构，与所述源区和所述体区连接；以及 栅极引出结构，与所述第二导电结构连接； 所述第一掺杂区的侧壁包括自所述体区底部向下延伸的与沟槽侧壁平行的第一部分和自所述第一部分继续向下延伸并向所述第一掺杂区内部逐渐倾斜的第二部分，所述第二部分的纵向剖面呈倒梯形或倒三角形，所述第一部分和所述第二部分的交界面穿过所述场板调节结构。

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