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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器件及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110690193B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910939116.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体存储器件及工艺方法是由詹益旺;童宇诚;黄永泰;李武新;佘法爽设计研发完成，并于2019-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储器件，其位线为多层结构，包含下层导电材料、中层导电材料、上层导电材料以及顶层硬掩模层；所述下层导电材料与中层导电材料、上层导电材料依次叠加形成多层导电结构，在半导体衬底中还具有位线接触凹槽，所述位线位于半导体衬底表面的绝缘夹层上，以及位线接触凹糟中，所述位于绝缘夹层上的位线与绝缘夹层的横向接触面积大，位于位线接触凹槽中的位线与位线接触凹槽的底部横向接触面积小，提高了位线之间的横向隔离效果，改善漏电。本发明制造工艺将不同位线的横向接触宽度的大小交替变化的剖面形貌通过刻蚀工艺一步完成，不增加额外的工艺步骤。

本发明授权半导体存储器件及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于：包括： 半导体衬底，在所述半导体衬底中具有器件隔离层，所述器件隔离层之间为隔离出的多个有源区；半导体衬底表面具有绝缘夹层； 在所述半导体衬底中，还包含有多个沿第一方向延伸且穿过有源区的字线，各条字线之间互相隔离； 多根位线，所述多根位线在半导体衬底中穿过有源区并沿第二方向延伸；所述第二方向与第一方向垂直； 所述的多个有源区呈条形且互相平行，并以第一方向或第二方向为延伸方向，或者是与第一方向及第二方向之间存在夹角； 所述半导体衬底表面还具有位线接触凹槽，所述位线接触凹槽是间隔排列，即位于半导体衬底表面的绝缘夹层上的位线与位于位线接触凹槽中的位线为交替排列； 所述位线为多层结构，包含下层导电材料、中层导电材料、上层导电材料以及顶层硬掩模层；所述下层导电材料、中层导电材料、上层导电材料依次叠加形成复合层；所述下层导电材料依次交替接触所述半导体衬底上的绝缘夹层，或者是位线接触凹槽的底部；所述中层导电材料和所述上层导电材料分别包括金属硅化物、金属氮化物或者金属中的一种； 所述绝缘夹层上的位线的下层导电材料与绝缘夹层的横向接触有第一宽度，而位于位线接触凹槽中的位线的下层导电材料与位线接触凹槽底部接触的横向接触有第二宽度； 其中第一宽度与第二宽度不相等。

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