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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113330461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980089312.5，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器是由H·V·特兰;S·莱姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷顿设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有突触的神经网络设备，该突触具有存储器单元，每个存储器单元具有设置在源极区和漏极区之间的沟道区的第一部分上方的浮栅和在该沟道区的第二部分上方的第一栅极以及在该浮栅或该源极区上方的第二栅极。第一线各自电连接该存储器单元行中的一行中的该第一栅极，第二线各自电连接该存储器单元行中的一行中的该第二栅极，第三线各自电连接该存储器单元列中的一列中的该源极区，并且第四线各自电连接该存储器单元列中的一列中的该漏极区。该突触接收第一多个输入作为该第一线或该第二线上的电压，并且提供第一多个输出作为该第三线或该第四线上的电流。

本发明授权使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器在权利要求书中公布了：1.一种神经网络处理设备，包括： 第一多个突触，所述第一多个突触被配置为接收第一多个输入并从其生成第一多个输出，其中所述第一多个突触包括： 多个存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括：形成于半导体衬底中的间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸；设置在所述沟道区的第一部分上方并与所述第一部分绝缘的浮栅；设置在所述沟道区的第二部分上方并与所述第二部分绝缘的第一栅极； 以及设置在所述浮栅上方并与所述浮栅绝缘或设置在所述源极区上方并与所述源极区绝缘的第二栅极； 所述多个存储器单元中的每一个存储器单元被配置为存储与所述浮栅上的多个电子相对应的权重值； 所述多个存储器单元被配置为基于所述第一多个输入和所存储的权重值来生成所述第一多个输出；其中所述第一多个突触的所述存储器单元被布置成行和列，并且其中所述第一多个突触包括： 多条第一线，每条第一线将所述存储器单元的所述行中的一行中的所述第一栅极电连接在一起； 多条第二线，每条第二线将所述存储器单元的所述行中的一行中的所述第二栅极电连接在一起； 多条第三线，每条第三线将所述存储器单元的所述列中的一列中的所述源极区电连接在一起； 多条第四线，每条第四线将所述存储器单元的所述列中的一列中的所述漏极区电连接在一起；其中所述第一多个突触被配置为接收所述第一多个输入作为所述多条第二线上的电压，以及提供所述第一多个输出作为所述多条第三线或所述多条第四线上的电流。

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