大洲电子材料株式会社吴性旻获国家专利权
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龙图腾网获悉大洲电子材料株式会社申请的专利用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110685331.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法是由吴性旻;金壮翰;金多恩设计研发完成，并于2017-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法，更详细地涉及一种通过使SiSiO2原料粉末混合体和金属镁进行气相反应，从而在硅氧化物SiOX，0＜x＜2中包含硅粒子、MgSiO3顽辉石和Mg2SiO4硅酸镁石晶体，并且表面由碳被覆的用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法。
本发明授权用于锂二次电池负极材料的硅复合氧化物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于二次电池负极材料的硅复合氧化物，所述硅复合氧化物选自Si-MgSiO3-SiOx-C系硅复合氧化物和或Si-MgSiO3-Mg2SiO4-SiOx-C系硅复合氧化物，其中，在硅氧化物中包含硅粒子和MgSiO3晶体， 其中硅粒子的晶体尺寸为1至25nm；以及0＜x＜2；并且所述硅复合氧化物表面上被覆有碳覆膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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