华邦电子股份有限公司侯拓宏获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111605366.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法是由侯拓宏;胡博瑞;张哲嘉设计研发完成，并于2016-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法，包括第一电极、第二电极以及电荷捕捉层。第二电极位于第一电极上。电荷捕捉层位于第一电极与第二电极之间。电荷捕捉层包括第一区域与第二区域。第一区域具有第一掺质并靠近第一电极。第二区域具有第二掺质并靠近第二电极。本发明的电阻式随机存取存储器具有非线性电阻值且不需要额外的选择元件，因此，可缩小面积，进而达到高密度的三维堆叠式RRAM阵列。
本发明授权电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式随机存取存储器，包括： 第一电极； 第二电极，位于所述第一电极上，其中所述第一电极的材料与所述第二电极的材料相同； 电荷捕捉层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述电荷捕捉层的材料为能隙小于5eV的绝缘材料，所述绝缘材料包括选自由TiO2、HfO、HfO2、ZrO、ZrO2、Ta2O5、WO3、CoO及Nb2O5所组成的群组中的一种，所述电荷捕捉层包括： 第一区域，具有第一掺质并靠近所述第一电极；以及 第二区域，具有第二掺质并靠近所述第二电极，其中所述第一区域中的所述第一掺质的浓度小于所述第二区域中的所述第二掺质的浓度，其中所述第一区域中的所述第一掺质的浓度介于1at％至50at％之间，所述第二区域中的所述第二掺质的浓度介于10at％至90at％之间，以使所述第二区域的能隙比所述第一区域的能隙大至少1eV，其中所述电阻式随机存取存储器仅为1R存储器结构。
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