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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120311309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510807351.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法是由傅颖洁;龚一夫;李杨;李明达;刘云;董彬;秦涛;吴重阳;庞伟龙设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法。通过综合设计区别于传统外延工艺的生长温度及其波动范围、生长速率、升降温时间、基座转速以及加速度等关键工艺参数，克服了双层厚膜高阻外延工艺容易生成边缘多晶颗粒、滑移线甚至裂纹诱生缺陷，取得了在6英寸、8英寸硅衬底片上批量生长双层厚膜高阻单晶外延片的显著效果。通过对反应腔体内氢气的流量设定以及石墨基座中的片坑径向温度梯度的设计和控制，显著提升了双层厚膜高阻外延层的均匀性，五点测试电阻率不均匀性达到0.8%，五点测试厚度不均匀性达到0.6%，满足了高压大功率半导体器件的使用要求，有利于大规模推广应用。

本发明授权一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法，其特征在于，包括依次进行如下步骤： S1、通入氯化氢气体和氢气对硅外延炉的反应腔体及石墨基座进行高温刻蚀清洗，刻蚀反应腔体内部及石墨基座表面的沉积物和杂质吸附，抑制反应环境的杂质积累效应，所述硅外延炉的反应腔体温度为1130~1160℃，石墨基座中的片坑径向温度梯度≤3℃，氯化氢气体的流量为30~35Lmin，氢气的流量为5~10Lmin，刻蚀清洗时间为15~16min，随后通入氢气携带三氯氢硅在所述反应腔体内部及石墨基座表面生长多晶硅包覆层，氢气的流量为150~200Lmin，三氯氢硅的流量为13~14gmin，反应腔体温度为1020~1060℃，所述多晶硅包覆层厚度为1~2μm； S2、对所述硅外延炉的反应腔体降温至250~300℃，将反应腔体初始温度慢速升温至1060~1110℃，时间为900~1000sec，在高温下对硅衬底片的表面进行烘烤，烘烤时间为1~3min，随后用氢气对反应腔体进行吹扫，氢气的流量为250~300Lmin，吹扫时间为1~3min； S3、在所述硅衬底片的抛光表面上进行第一层硅外延层的生长，生长温度为1010~1020℃，形成单晶硅外延层，采用氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，磷烷作为掺杂气体，三氯氢硅的流量为10~12gmin，氢气的流量为165~185Lmin，磷烷的流量为125~130sccm，硅外延层生长速率为1.8~2.0μmmin，基座转速5~6rmin，基座转速的加速度为0.4~0.5rmin2，第一层硅外延层的目标生长厚度为30~35μm，目标电阻率为2.5~3.5Ω·cm，硅外延层的生长过程中温度波动≤3℃； S4、在所述第一层硅外延层的表面上进行第二层硅外延层的生长，采用氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，磷烷作为掺杂气体，生长温度为1020~1040℃，形成单晶硅外延层，三氯氢硅的流量为13~14gmin，氢气的流量为165~185Lmin，磷烷的流量为55~60sccm，硅外延层生长速率为2.1~2.2μmmin，第二层硅外延层的目标生长厚度为60~65μm，目标电阻率为22~26Ω·cm，硅外延层的生长过程中温度波动≤3℃； S5、通入氮气对反应腔体进行吹扫降温，氮气流量为100~150Lmin，将反应腔体从初始温度慢速降温至250~300℃，时间为900~1000sec，目标双层厚膜高阻单晶外延片的五点测试电阻率不均匀性0.8%，五点测试厚度不均匀性0.6%，所述五点测试的位置为中心点和上、下、左、右四个距边缘6mm的点，最终形成双层厚膜高阻单晶外延片。

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