材料科学姑苏实验室郭丽彬获国家专利权
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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510654031.7，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件是由郭丽彬;周大勇;李春红;赵文超;祝曾伟设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件，氧化镓材料的外延生长方法包括：提供衬底；在衬底上形成氮化铝层；在氮化铝层上外延生长至少一层复合界面层，复合界面层包括依次层叠的氧化铝层和氧化铟层；在复合界面层上外延生长氧化镓层。如此能够降低氧化镓层中的位错密度和热应力，提升氧化镓外延结构的质量和性能。在将制得的氧化镓外延结构应用于光电探测器件时，能够显著提高器件的性能和可靠性。
本发明授权氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓材料的外延生长方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成氮化铝层； 在所述氮化铝层上外延生长至少一层复合界面层，所述复合界面层包括依次层叠的氧化铝层和氧化铟层；所述复合界面层的厚度为1nm~5nm；所述氧化铝层的厚度为0.5nm~3nm；所述氧化铟层的厚度为0.5nm~2nm； 外延生长所述复合界面层包括：首先，通入第一铝源和第一氧源，在温度为600℃~800℃、压力为20mbar~150mbar、所述第一铝源的流量大于等于5sccm且小于等于20sccm、所述第一氧源的流量大于0sccm且小于等于100sccm的条件下，外延生长所述氧化铝层；然后，通入铟源和第二氧源，在温度为600℃~800℃、压力为20mbar~150mbar、所述铟源的流量大于等于5sccm且小于等于20sccm、所述第二氧源的流量大于0sccm且小于等于100sccm的条件下，在所述氧化铝上外延生长所述氧化铟层； 在所述复合界面层上外延生长氧化镓层。
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