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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510652690.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法是由赵玥;谢雨龙;张梦瑞;张卫;程钱钱设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法，该封装结构将PMIC芯片和LSI芯片分别嵌入两层塑封层，PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔，两层塑封层之间加工有电容电路及中间重布线层，形成了双层塑封通孔中介层，在双层塑封通孔中介层两侧加工重布线层，顶部连接HBM芯片和SOC芯片，底部焊接于基板上，基板的底部植球，且在两层塑封层中内埋散热片，散热片与基板的散热通道连接传导热量，基板上罩有散热盖。该封装方法中采用塑封通孔和塑封嵌入芯片技术形成了高密度3D堆叠封装，通过PMIC芯片与电容与处理器垂直连接，缩短连接路径，解决高性能处理器的电压电流不足、功率不足及散热问题。

本发明授权一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构，其特征在于，包括： 基板； 异质芯片，所述异质芯片包括HBM芯片和SOC芯片； 双层塑封通孔中介层，所述双层塑封通孔中介层键合于基板，所述异质芯片键合于双层塑封通孔中介层； 所述双层塑封通孔中介层包括自下而上依次设置的底层塑封通孔内埋芯片层、中间重布线层、顶层塑封通孔内埋芯片层，所述底层塑封通孔内埋芯片层内设有PMIC芯片，所述顶层塑封通孔内埋芯片层内设有LSI芯片，所述中间重布线层的内部设有电容电路，所述PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔，所述LSI芯片通过TSV通孔两端分别与中间重布线层、异质芯片互联，所述LSI芯片与电容电路互联，所述PMIC芯片通过TSV通孔两端分别与基板、中间重布线层互联，所述PMIC芯片与电容电路互联； 散热盖，所述散热盖具有顶盖和四周的围堰，所述顶盖贴装于异质芯片上，所述围堰贴装于基板上，所述双层塑封通孔中介层和基板内均布置有散热片，所述基板的散热片一端连接双层塑封通孔中介层的散热片，所述基板的散热片另一端连接散热盖的围堰。

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