北京晶澳太阳能光伏科技有限公司周超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京晶澳太阳能光伏科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510660545.3，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法是由周超;吕晨;吕鹏飞设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括硅基体，硅基体的正面具有绒面结构，硅基体的正面划分为工作区域和边缘隔离区域，工作区域包括由内向外依次设置在正面上的p型发射极、第一钝化层和第一电极，边缘隔离区包括设置在正面上的第一钝化层，硅基体的背面由内向外依次设置有隧穿氧化层、n型掺杂多晶硅层、第二钝化层和第二电极，其中，工作区域中绒面结构的反射率为R1，边缘隔离区域中绒面结构的反射率为R2，R1R2在0.3‑3的范围内，且工作区域的绒面结构基底与边缘隔离区域的绒面结构基底的距离在3μm‑10μm的范围内。
本发明授权一种太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面具有绒面结构，所述硅基体的正面划分为工作区域和边缘隔离区域，所述工作区域包括由内向外依次设置在所述正面上的p型发射极、第一钝化层和第一电极，所述边缘隔离区包括设置在所述正面上的第一钝化层，所述硅基体的背面由内向外依次设置有隧穿氧化层、n型掺杂多晶硅层、第二钝化层和第二电极，其中， 所述工作区域中绒面结构的反射率为R1，所述边缘隔离区域中绒面结构的反射率为R2，R1R2在0.3-3的范围内，且 所述工作区域的绒面结构基底与所述边缘隔离区域的绒面结构基底的距离在3μm-10μm的范围内，所述边缘隔离区域的边缘经激光切割形成。
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