合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631461.7，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明通过改变阻变存储单元的电极板方位，将电极板的板面方向以垂直于半导体衬底面板方向嵌入到其中一层金属层中，然后在两个电极板之间插入阻变层制得阻变存储单元，并以此作为基础制备阻变存储器；改变了现有技术中阻变存储单元的电极板分布方位，意想不到的是：避免了现有技术中插入阻变存储单元后导致两个金属互联层之间现有工艺制程被改变而需重新研发的情况，可以兼容现有技术中MOS制程，也使得阻变式阻变存储器整体紧凑。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性与晶圆厚度方向堆叠的常规技术方案效果没有明显差别，并且读写速度比同等条件下现有技术更快。
本发明授权嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式RRAM结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一半导体结构，第一半导体结构上具有层间介质层； 在层间介质层上制备第一金属互联层，第一金属互联层包括第一金属线路、第一电极板、第二电极板以及将三者隔离的第一金属间电介质层； 在第一金属互联层上制备第一阻挡层； 采用蚀刻工艺打开两个电极板之间的第一金属间电介质层形成第一凹槽； 在第一凹槽内填充阻变材料； 采用平坦化工艺对阻变材料进行平坦化并停留在第一阻挡层上，形成阻变层； 在第一阻挡层上沉积第二金属间电介质层； 在第二金属间电介质层内制备第二金属线路、第一极板引线、第二极板引线，形成第二金属互联层，完成嵌入式RRAM结构的制备。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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