深圳市比创达电子科技有限公司吴文明获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市比创达电子科技有限公司申请的专利一种高结电容TVS管的静电防护器件及其封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510615762.0，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种高结电容TVS管的静电防护器件及其封装工艺是由吴文明;钟国伟;陈华武;常万博;程晋利设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高结电容TVS管的静电防护器件及其封装工艺在说明书摘要公布了：本发明属于半导体封装技术领域，提供一种高结电容TVS管的静电防护器件及其封装工艺，高结电容TVS管的静电防护器件包括：TVS管晶圆、框架焊盘、引线键合丝、大容值陶瓷电容和塑封体，TVS管晶圆与大容值陶瓷电容通过引线键合丝连接，并集成封装于塑封体内。本发明通过将TVS管晶圆与大容值陶瓷电容进行集成封装，实现了静电防护与高结电容特性的完美结合；封装工艺不仅提高了器件的静电防护能力，还显著提升了其电容性能，使得该静电防护器件在应对瞬态过电压冲击时表现出更优异的性能。
本发明授权一种高结电容TVS管的静电防护器件及其封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种高结电容TVS管的静电防护器件，其特征在于，包括： TVS管晶圆、框架焊盘、引线键合丝、大容值陶瓷电容和塑封体，TVS管晶圆与大容值陶瓷电容通过引线键合丝连接，并集成封装于塑封体内； 大容值陶瓷电容的容值为100pF-10μF，介电材料为钛酸钡基陶瓷，介电常数≥3000，耐压值为TVS击穿电压的1.5倍以上； 框架焊盘表面镀覆镍层，镍层的厚度为3-5μm，镍层表面粗糙度Ra≤0.3μm，用于支撑TVS管晶圆与大容值陶瓷电容； 塑封体的环氧模塑料热膨胀系数≤8ppm℃，玻璃化转变温度≥160℃，封装后器件尺寸与DFN0402封装兼容。
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