杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种用于高性能MOSFET的双栅结构及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510561275.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种用于高性能MOSFET的双栅结构及优化方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于高性能MOSFET的双栅结构及优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于高性能MOSFET的双栅结构及优化方法，包括由若干个MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、源极、栅极、栅氧化层以及半导体外延层；所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P‑层、P阱层以及N阱层，单个所述MOS元胞内的栅极有两个，并且分别位于栅氧化层内的左右两侧，所述栅氧化层的截面轮廓呈半圆形状；所述栅氧化层的内部且位于两个栅极之间设有多晶硅，所述多晶硅与源极欧姆接触。本发明通过双栅结构、几何形状优化、掺杂层设计及工艺创新，显著提升了MOSFET的开关速度、耐压能力、热稳定性和集成度，同时降低了漏电流和导通电阻，适用于高性能功率器件与高频应用场景。
本发明授权一种用于高性能MOSFET的双栅结构及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于MOSFET的双栅结构，由若干个MOS元胞组成，单个所述MOS元胞包括有漏极1、源极2、栅极3、栅氧化层4以及半导体外延层；所述半导体外延层包括N衬底层5、N扩散层6、P-层7、P阱层8以及N阱层9，其特征在于：单个所述MOS元胞内的栅极3有两个，并且分别位于栅氧化层4内的左右两侧； 所述栅氧化层4的截面轮廓呈半圆形状；所述栅氧化层4的内部且位于两个栅极3之间设有多晶硅10，所述多晶硅10与源极2欧姆接触； 所述多晶硅10的截面深度是两个栅极3截面深度的1.2-1.7倍； 所述多晶硅10还包括有侧硅层101，所述侧硅层101的截面轮廓呈底部粗顶部窄的形状； 所述侧硅层101的中间处填充有高阻掺杂层11，其中高阻掺杂层11将侧硅层101分为左右两个部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405(自主分割)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号