华中科技大学刘璐获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411867049.7，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法是由刘璐;江春阳;朱元慧;梁秋雯;程晓敏;徐静平设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1，清洗衬底，随后在衬底表面沉积隧穿层；S2，在隧穿层表面沉积m层Si3N4薄膜和p层TiN薄膜，将这一过程重复x次，最后再沉积n层Si3N4薄膜得到TiN掺杂Si3N4的存储层；其中25≤m≤50，25≤n≤50，p＝1，5≤x≤11；S3，在存储层表面沉积阻挡层，随后在阻挡层表面蒸镀Al电极。本发明通过对存储层Si3N4薄膜掺杂TiN，提供了更多的电荷陷阱，提高了存储层电荷陷阱密度，与未掺杂的对照组相比，存储窗口更大，器件疲劳特性更好，保持性能优异，极大提高电荷俘获型存储器的可靠性。
本发明授权一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，清洗衬底，随后在衬底表面沉积隧穿层； S2，在隧穿层表面沉积m层Si3N4薄膜和p层TiN薄膜，将这一过程重复x次，最后再沉积n层Si3N4薄膜得到TiN掺杂Si3N4的存储层； 其中25≤m≤50，25≤n≤50，p＝1，5≤x≤11； S3，在存储层表面沉积阻挡层，随后在阻挡层表面蒸镀Al电极。
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