杭州富芯半导体有限公司许行健获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种硅片外吸杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310209362.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种硅片外吸杂方法是由许行健设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片外吸杂方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种硅片外吸杂方法，所述方法包括：获得第一硅片，所述第一硅片是通过对初始硅片进行第一预处理操作得到的；在所述第一硅片的背面沉积预设材料，使所述第一硅片的背面产生薄膜；对背面产生薄膜的第一硅片进行第二预处理操作，得到第二硅片，其中，所述第二预处理操作包括热处理，所述热处理用于通过薄膜应力诱发所述第一硅片出现层错形成吸杂中心；去除所述第二硅片的所述薄膜；对去除所述薄膜的第二硅片进行抛光处理。应用本方法在对硅片进行预处理操作后引入外吸杂工艺，使得硅片在实现高平坦度的同时具有外吸杂能力，并在引入吸杂中心后去掉薄膜，释放应力，可以减少硅片的翘曲。
本发明授权一种硅片外吸杂方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片外吸杂方法，其特征在于，所述方法包括： 获得第一硅片，所述第一硅片是通过对初始硅片进行第一预处理操作得到的； 在所述第一硅片的背面沉积预设材料，使所述第一硅片的背面产生薄膜； 对背面产生薄膜的第一硅片进行第二预处理操作，得到第二硅片，其中，所述第二预处理操作包括热处理，所述热处理用于通过薄膜应力诱发所述第一硅片出现层错形成吸杂中心； 去除所述第二硅片的所述薄膜； 对去除所述薄膜的第二硅片进行抛光处理。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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