中国电子科技集团公司第二十九研究所王文博获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505845.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法是由王文博;王春富;李彦睿;张健;徐飞;张湉;秦跃利;卢茜;张剑;朱晨俊;常文涵;王贵华;肖瑶;李刚设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法，该方法采用双层光刻胶交联碳化薄胶+厚胶形成电镀图形掩膜，在不降低光刻胶图形精度基础上提升了光刻胶附着力，降低了金表面电镀浮胶、脱胶问题；采用平坦化和灰度光刻刻蚀方法，在微凸点表面制备了键合增强微结构，优化了微凸点高度一致性和表面接触面积，降低了键合压力要求和键合难度；采用常用微纳加工工艺，可有效实现微波组件中的玻璃基转接板三维集成垂直互连所需的微凸点制备。
本发明授权玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，玻璃转接板表面制备完成带线及凸点下金属层，沉积种子层金属； S2，玻璃转接板表面涂布薄光刻胶，并光刻图形化露出凸点生长位置； S3，通过热交联碳化使得薄光刻胶固化在玻璃转接板表面； S4，在薄光刻胶表面涂布电镀厚光刻胶，光刻套刻图形化，图形与薄光刻胶一致； S5，图形电镀金凸点，至微高出厚光刻胶表面； S6，对厚光刻胶和电镀凸点进行平坦化磨抛； S7，表面涂布刻蚀光刻胶，并通过激光直写曝光实现灰度光刻，获得具有表面起伏形貌的光刻胶图形； S8，基于灰度光刻后的光刻胶图形，通过离子束刻蚀对凸点表面刻蚀，获得具有高低起伏的微结构； S9，湿法去除刻蚀光刻胶和厚光刻胶； S10，等离子灰化去除热交联碳化底层薄光刻胶； S11，刻蚀去除种子层金属，完成微凸点制备。
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