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龙图腾网获悉微集电科技(苏州)有限公司申请的专利一种MEMS红外光源的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116040574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211326807.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS红外光源的制造方法是由刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS红外光源的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层的MEMS红外光源。包括如下步骤：（1）衬底的掩膜处理；（2）腐蚀窗口制备；（3）各向异性腐蚀；（4）反射层制备；（5）一次抛光；（6）牺牲层制备；（7）二次抛光；（8）支撑层制备；（9）发热电极层制备；（10）发热电极焊盘制备；（11）红外发射层制备；（12）牺牲窗口制备；（13）牺牲层去除。工艺原理是：先蚀刻凹坑，再用牺牲层填平凹坑，然后在平面上生成各功能层，最后开设连通凹坑的牺牲窗口，去除牺牲层，完成产品制造。本发明生产的产品可以解决现有MEMS红外光源光电转换效率不高、产品良率低等问题。

本发明授权一种MEMS红外光源的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS红外光源的制造方法，其特征在于：其用于制造一种衬底和支撑层之间含有空腔和反射层的MEMS红外光源；所述制造方法包括如下步骤： （1）衬底的掩膜处理： 提供衬底，在所述衬底的待加工面上沉积预设量的掩膜层的材料，构成所需的腐蚀掩膜层； （2）腐蚀窗口制备： 按照预设的窗口尺寸和形状，利用光刻技术去除待加工面上的部分掩膜层以在衬底上形成腐蚀窗口；所述腐蚀窗口下方露出的区域为需要进行腐蚀的衬底区域； （3）各向异性腐蚀： 通过各向异性腐蚀的工艺对所述衬底进行化学腐蚀，以在所述衬底中的所述腐蚀窗口区域形成向衬底内部凹陷且口径逐渐缩小的凹坑； （4）反射层制备： 采用物理气相沉积工艺在所述衬底表面的凹坑中沉积预设量的反射层材料，构成所需的反射层； （5）一次抛光： 对衬底的待加工面进行抛光处理，去除衬底表面除凹坑以外的其它区域的表面镀层，包括腐蚀掩膜层材料和反射层材料； （6）牺牲层制备： 在所述衬底中的凹坑中填充可通过任意一种手段选择性移除的牺牲层材料； （7）二次抛光： 对填充有所述牺牲层材料的衬底的待加工面进行二次抛光处理，以使得凹坑中的牺牲层材料与周围的衬底表面保持齐平； （8）支撑层制备： 在衬底中含有牺牲层一侧的表面生成所需的支撑层，所述支撑层完整覆盖下方的衬底和牺牲层； （9）发热电极层制备： 在支撑层表面制备所需的发热电极层，所述发热电极层位于对应衬底中凹坑上方的位置；所述发热电极层的左右两侧完整覆盖凹坑，前后两侧位于相对凹坑内侧的区域，未覆盖凹坑； （10）发热电极焊盘制备： 在所述发热电极层上方制备两条相互平行的不超过发热电极层分布区域的长条状的发热电极焊盘；其中，两条所述发热电极焊盘的分布区域与所述凹坑上口的围合区域相离或外切； （11）红外发射层制备： 在所述发热电极焊盘内侧的发热电极层上方制备所需的红外发射层；所述红外发射层位于所述发热电极焊盘四个端点的连线区域内； （12）牺牲窗口制备： 通过光刻技术对支撑层材料进行蚀刻，在不破坏上方的发热电极层和红外发射层的基础上，选择相应的区域加工出至少一个贯穿的牺牲窗口，以露出下方凹坑中的牺牲层材料； 牺牲窗口的开设区域既位于牺牲层上方又与发热电极层的分布位置相切或相离； （13）牺牲层去除： 根据选择的牺牲材料的特异性，采用能够定向腐蚀牺牲层材料的溶剂或溶液选择性去除凹坑内的填充的所有牺牲层材料，以形成所需的空腔结构；进而制备出所需的MEMS红外光源。

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