联发科技股份有限公司蔡宪聪获国家专利权
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龙图腾网获悉联发科技股份有限公司申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010754047.2，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装是由蔡宪聪设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体封装，包括：载体基板，具有上表面；半导体晶粒，安装在该上表面上；第一接合引线，将该半导体晶粒连接到该载体基板；绝缘材料，封装该第一接合引线；部件，安装在该绝缘材料上，其中该部件包括金属层；第二接合引线，将该部件的该金属层连接至该载体基板，其中，该金属层和该第二接合引线构成电磁干扰屏蔽结构；模塑料，覆盖该载体基板的该上表面并封装该半导体晶粒、该部件、该第一接合引线、该第二接合引线和该绝缘材料。由于使用该金属层和该第二接合引线构成电磁干扰屏蔽结构，因此可以使半导体晶粒屏蔽免受EMI干扰和ESD损害。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其特征在于，包括： 载体基板，具有上表面； 半导体晶粒，安装在该上表面上； 第一接合引线，将该半导体晶粒连接到该载体基板； 第一绝缘材料，封装该第一接合引线； 部件，安装在该第一绝缘材料上，其中该部件包括金属层； 间隔物，在该部件与该半导体晶粒之间； 第二接合引线，将该部件的该金属层连接至该载体基板，其中，该金属层和该第二接合引线构成电磁干扰屏蔽结构； 第二绝缘材料，封装该第二接合引线；该第二绝缘材料完全覆盖该第二接合引线，并且与该半导体晶粒的主动面、该间隔物、该部件的周边和该部件的底面直接接触；该第二绝缘材料与该第一绝缘材料具有不同的成分；以及 模塑料，覆盖该载体基板的该上表面并封装该半导体晶粒、该部件、该第一接合引线、该第二接合引线、该第一绝缘材料和该第二绝缘材料； 该部件通过在该金属层上的第一粘合层附接到该第一绝缘材料； 该间隔物通过第二粘合层附接至该半导体晶粒。
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