通威太阳能(眉山)有限公司常青获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(眉山)有限公司申请的专利晶硅太阳能电池片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911319955.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权晶硅太阳能电池片及其制造方法是由常青;姚骞;张家峰;马列;王秀鹏设计研发完成，并于2019-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶硅太阳能电池片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶硅太阳能电池片及其制造方法。太阳能电池片包括基体片，基体片包括P型硅片、顶钝化层、隧穿层和底钝化层。隧穿层设置在P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；底钝化层为掺杂硼的钝化层，底钝化层设置在隧穿层的底表面上。本发明提供了基于P型硅片的钝化结构和方法，该结构和方法与现有的PERC钝化技术兼容度较高，有利于太阳能电池片的产业化发展。本发明还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。
本发明授权晶硅太阳能电池片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶硅太阳能电池片，所述晶硅太阳能电池片包括基体片和设置在所述基体片的顶表面和底表面上的栅线，所述基体片包括： P型硅片，所述P型硅片的顶表面为n型表面； 顶钝化层，所述顶钝化层设置在所述n型表面上，且所述顶钝化层为二氧化硅钝化层， 其特征在于，所述基体片还包括： 隧穿层，所述隧穿层设置在所述P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力，所述隧穿层为叠层结构，由氧化铝层、氧化钼层、氧化锡层、氧化硅层和氧化镍层中的两者以上组成； 底钝化层，所述底钝化层设置在所述隧穿层的底表面上，且所述底钝化层为掺杂硼的钝化层。
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