台湾积体电路制造股份有限公司粘群获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911182275.0，技术领域涉及：G06F9/455；该发明授权半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体是由粘群;张广兴;吴志强设计研发完成，并于2019-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体。本揭示涉及一种半导体结构的制造方法。制造方法包含以下操作。取得半导体结构的预设工艺参数。将半导体结构分为多个单元。将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分。分别取得第一模拟事件及第二模拟事件。进行工艺模拟，工艺模拟是针对具有第一参数的所述单元，进行第一模拟事件，以及针对具有第二参数的所述单元，进行第二模拟事件。依据模拟结果，调整预设工艺参数。进行半导体结构的工艺。
本发明授权半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，包含： 取得半导体结构的预设工艺参数； 将所述半导体结构分为多个单元，其中，各个所述单元的单位为分子、原子或晶格单元； 将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分； 分别取得第一模拟事件及第二模拟事件，其中所述第一模拟事件及所述第二模拟事件包含原子吸附事件、表面钝化事件或原子脱附事件； 进行工艺模拟，所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元，进行所述第一模拟事件，以及针对具有所述第二参数的所述单元，进行所述第二模拟事件，其中所述第一模拟事件及所述第二模拟事件同时进行； 判断所述工艺模拟是否有冲突事件，其中所述冲突事件包括进行所述第一模拟事件的所述单元其中之一与进行所述第二模拟事件的所述单元其中之一之间的距离为特定距离，且所述特定距离是0以上及所述单元之间的最小距离的10倍以下； 如果判断为是，那么取消位在所述特定距离内的所述单元其中之一的所述第一模拟事件或所述第二模拟事件； 依据模拟结果，调整所述预设工艺参数；及 进行所述半导体结构的工艺，其中所述工艺包括外延工艺、薄膜沉积工艺及蚀刻工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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