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龙图腾网获悉日立安斯泰莫株式会社申请的专利电子电路及传感器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112840566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980065393.5，技术领域涉及：H03K19/00；该发明授权电子电路及传感器系统是由中川树生;佐藤尧生;小田部晃设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子电路及传感器系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有能够满足输出信号的特性并且能够降低受损的输出电路的电子电路。因此，电子电路具有：输出信号生成元件201、202，其生成输出信号；开关203、204；以及电压监视电路205，其对施加于输出端子112的电压进行监视。这里，输出信号生成元件201、201经由开关203、204与输出端子112连接，电压监视电路205构成为能够对比与输出信号生成元件201连接的电源电压VDD高的电压进行测量，在输出端子112的电压为设定得比电源电压VDD高的预定值以上时，控制开关203、204以切断输出信号生成元件201、202与输出端子112的连接。

本发明授权电子电路及传感器系统在权利要求书中公布了：1.一种电子电路，其特征在于， 具有： 元件，其与电源连接，并生成输出信号； 开关； 防逆流元件，其防止在对输出端子施加了比所述电源的电压高的电压时从所述输出端子向所述电源的电流流入，其一端与所述电源连接，另一端与所述开关连接；以及 电压监视电路，其对施加于输出端子的电压进行监视， 所述电压监视电路构成为能够对比所述电源的电压高的电压进行检测，在所述输出端子的电压为设定得比所述电源的电压高的预定值以上时，控制所述开关以切断所述元件与所述输出端子的连接， 所述元件经由所述开关与所述输出端子连接， 生成所述输出信号的元件的耐压比构成所述开关的元件的耐压低， 所述电压监视电路由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻和低电压二极管构成，所述低电压二极管的阳极接地，阴极经由所述第一电阻与所述输出端子连接，所述第一PMOS晶体管的一个电极与所述输出端子连接，另一个电极经由所述第二电阻接地，所述第一PMOS晶体管的栅极电极与所述低电压二极管的阴极连接，所述第二PMOS晶体管和所述NMOS晶体管以构成逆变器的方式在所述电源和接地之间连接，所述逆变器的输入与所述第一PMOS晶体管的所述另一个电极连接且与构成所述开关的PMOS晶体管的栅极电极连接，所述逆变器的输出与构成所述开关的NMOS晶体管的栅极电极连接， 基于不依赖于施加到所述输出端子的电压的、所述二极管的特性来设定所述预定值。

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