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龙图腾网获悉瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司申请的专利一种应用于全桥功率模块的封装结构和三相电机控制板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510056110.8，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种应用于全桥功率模块的封装结构和三相电机控制板是由吴兴诚设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于全桥功率模块的封装结构和三相电机控制板在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于全桥功率模块的封装结构和三相电机控制板，改进了全桥功率模块的引脚结构，实现将六个MOS芯片进行平铺以降低占用PCB板的面积的同时，还可以通过设置的第一引脚、第二引脚和第三引脚实现对电压电流等参数状态的有效监测，将下桥臂内的第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片设置源极引脚，从而能够防止电路开启和关断过程中发生的电压串扰，并且将下桥臂内的第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片的源极还与对应的电源负极引脚连接，然后再将电源负极引脚通过内部引线连接，从而降低了引线的复杂度，此外，该封装结构的体积较小，有利于减小全桥功率模块和三相电机控制板的体积。

本发明授权一种应用于全桥功率模块的封装结构和三相电机控制板在权利要求书中公布了：1.一种应用于全桥功率模块的封装结构，其特征在于，包括基板、沿基板四周设置的多个引脚以及设于所述基板上的第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛、第五基岛和第六基岛，其中，所述第一基岛、所述第二基岛和所述第三基岛上分别焊接有第一MOS芯片、第二MOS芯片和第三MOS芯片，所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片构成全桥封装功率模块的上桥臂，所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片的栅极、源极和漏极通过打线的形式引出至所述基板上对应的引脚处，且与所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片的漏极对应的引脚通过内部引线连接后，再与电源的正极连接，所述第四基岛、所述第五基岛和所述第六基岛上分别焊接有第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片，所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片构成全桥封装功率模块的下桥臂，所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片的栅极和源极通过打线的形式引出至所述基板上对应的引脚处，且所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片的源极还与对应的电源负极引脚连接，且所述电源负极引脚通过内部引线连接，所述第四MOS芯片的漏极与电机的U相以及第一引脚连接、所述第五MOS芯片的漏极与电机的V相以及第二引脚连接、所述第六MOS芯片的漏极与电机的W相以及第三引脚连接，通过所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚实现对全桥封装功率模块的电流和电压的监控。

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