武汉正源高理光学有限公司沙昭获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉正源高理光学有限公司申请的专利防静电抗污染掩模版获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223229848U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422635060.2，技术领域涉及：G03F1/40；该实用新型防静电抗污染掩模版是由沙昭;戴乾;李钦州设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本防静电抗污染掩模版在说明书摘要公布了：本申请公开了一种防静电抗污染掩模版，包括掩模版本体、导电层以及AF膜层，通过在掩模版本体沿其厚度方向至少有一侧设置有导电层，如此，导电层掩模版将会有导电效果，产生的静电将不会聚集在某一处，而是均匀分散到表面的任何地方，因此不会产生较大的局部电压将线条图形破坏，同时由于导电层具有透光区，不会影响掩模版的透光性，另外一方面，通过设置AF膜层，能够有效防指纹、防油污和灰尘，同时保持高透光率，降低清洗频率，从而改善掩模版的使用寿命。
本实用新型防静电抗污染掩模版在权利要求书中公布了：1.一种防静电抗污染掩模版，其特征在于，包括： 掩模版本体； 导电层，所述掩模版本体沿其厚度方向至少有一侧设置有导电层，所述导电层具有透光区；以及， AF膜层，设于所述导电层远离所述掩模版本体的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉正源高理光学有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市华中科技大学华工科技园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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