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龙图腾网获悉鑫硕泰(深圳)科技有限公司申请的专利一种集成电路存储器及其构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118887981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410918327.0，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权一种集成电路存储器及其构建方法是由胡治国;王飞进设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路存储器及其构建方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路存储器及其构建方法，通过动态存储区集成单元，在同步动态随机存储单元内部存储模组中将多个动态存储区集成；端接电阻引脚集成单元，将终结端接电阻移植集成到存储芯片内部，形成内部集成终结端接电阻；在同步动态随机存储单元集成区域限定符引脚模块；片上校准反射控制单元，区域限定符引脚模块集成高精度参考电阻；通过片上校准引擎，进行内部集成终结端接电阻的自动校准及信号反射控制，控制信号完整性及控制电压控制信号品质；多用途寄存架构单元，通过集成多用途寄存器，智能化控制多种寄存器模式，构建大密度内存和高带宽集成电路存储器。

本发明授权一种集成电路存储器及其构建方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括： 动态存储区集成单元，在同步动态随机存储单元内部存储模组中将多个动态存储区集成； 端接电阻引脚集成单元，将终结端接电阻移植集成到存储芯片内部，形成内部集成终结端接电阻；在同步动态随机存储单元集成区域限定符引脚模块； 片上校准反射控制单元，区域限定符引脚模块集成高精度参考电阻；通过片上校准引擎，进行内部集成终结端接电阻的自动校准及信号反射控制，控制信号完整性及控制电压控制信号品质； 多用途寄存架构单元，通过集成多用途寄存器，智能化控制多种寄存器模式，构建大密度内存和高带宽集成电路存储器； 端接电阻引脚集成单元，包括： 终结电阻集成子单元，将终结端接电阻移植集成到存储芯片内部，形成内部集成终结端接电阻； 限定符引脚子单元，在同步动态随机存储单元集成区域限定符引脚模块； 校准命令数据存储子单元，区域限定符引脚模块设置校准命令集；校准命令集设置长周期校准指令及短周期校准指令； 长周期校准指令包括：上电初始化指令及存储器复位指令；短周期校准指令包括：电压跟随指令及温度跟随指令； 上电初始化指令及存储器复位指令执行分别设置第一长周期校准时钟、第二长周期校准时钟及第n长周期校准时钟；第二长周期校准时钟及第n长周期校准时钟的时钟周期少于第一长周期校准时钟；短周期校准指令执行设置第一短周期校准时钟执行电压跟随指令及温度跟随指令；温度跟随指令包括：通过自刷新第一温度范围对应第一自动刷新频率，自刷新第二温度范围对应第二自动刷新频率，自刷新第一温度范围与自刷新第二温度范围之间设置自刷新参照标准温度；进行低功耗状态数据保存。

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