武汉科技大学;中国科学院物理研究所侯廷平获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉科技大学;中国科学院物理研究所申请的专利一种制备Cr(23-x)FexC6单晶的方法及制备得到的晶体材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815689.7，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种制备Cr(23-x)FexC6单晶的方法及制备得到的晶体材料是由侯廷平;胡亮;谭昕暘;石友国;吴开明设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备Cr(23-x)FexC6单晶的方法及制备得到的晶体材料在说明书摘要公布了：本发明属于晶体制备技术领域，具体涉及一种制备Cr23‑xFexC6单晶的方法及制备得到的晶体材料。该制备方法包括以下步骤：1制备Cr、Fe和C的混合金属锭，其中，Cr、Fe和C的摩尔比为23‑x:x:1；2将步骤1得到的混合金属锭放入四电弧单晶提拉炉中；3将四电弧单晶提拉炉中抽真空至10‑4torr后用保护气保护，然后在13‑15A的电流下用提拉法制备Cr23‑xFexC6单晶。本发明采用四电弧单晶提拉炉制备高纯度Cr23‑xFexC6单晶，可以得到大块的高质量的单晶样品。
本发明授权一种制备Cr(23-x)FexC6单晶的方法及制备得到的晶体材料在权利要求书中公布了：1.一种制备Cr23-xFexC6单晶的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1）制备Cr、Fe和C的混合金属锭，其中，Cr、Fe和C的摩尔比为23-x:x:1； 2）将步骤1）得到的混合金属锭放入四电弧单晶提拉炉中； 3）将四电弧单晶提拉炉中抽真空至10-4torr后用保护气保护，然后在13-15A的电流下用提拉法制备Cr23-xFexC6单晶，其中，x=0、1、2或3，提拉针的上升速率为3.5-4.5mmh。
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