贵州师范学院任俊鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉贵州师范学院申请的专利一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117902922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311674064.5，技术领域涉及：C04B41/90；该发明授权一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用是由任俊鹏;王毓设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用，包括，将碳化硅颗粒进行表面粗化处理，干燥得到粗化处理碳化硅颗粒，加入分散剂，球磨处理得到混合均匀的粉末，通过真空扩散镀覆工艺，制得镀Ti5Si3Ti的SiC粉体颗粒；将碱式碳酸铜融入氨水溶液中，搅拌并充分溶解，添加聚丙烯酰胺，混合均匀后，加入镀Ti5Si3Ti的SiC粉体颗粒，密封静止，得到充分包裹的碳化硅颗粒；将初步包覆碳化硅粉体在氢气还原气氛中加热还原处理，冷却过筛后，即得双镀层颗粒。本发明首次提出一种双镀层Cu‑Ti5Si3Ti‑SiC粉体颗粒，在粉末冶金热压烧结制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料时，明显改善复合材料在热压烧结过程中形成的孔洞、缝隙等缺陷，界面结合良好。
本发明授权一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：包括， 将碳化硅颗粒进行表面粗化处理，干燥得到粗化处理碳化硅颗粒； 将粗化处理碳化硅颗粒与金属钛粉混合，加入分散剂，球磨处理得到混合均匀的粉末，通过真空扩散镀覆工艺，制得镀Ti5Si3Ti的SiC粉体颗粒，其中，碳化硅颗粒与金属钛粉的质量比2:1； 将碱式碳酸铜融入氨水溶液中，搅拌并充分溶解，添加聚丙烯酰胺，混合均匀后，加入镀Ti5Si3Ti的SiC粉体颗粒，密封静止，得到充分包裹的碳化硅颗粒，烘干、初步粉碎后即得到初步包覆碳化硅粉体，其中，碱式碳酸铜、聚丙烯酰胺和镀Ti5Si3Ti的SiC粉体颗粒的质量比例为200～300:500～600:400～600； 将初步包覆碳化硅粉体在氢气还原气氛中加热还原处理，冷却过筛后，即得双镀层Cu-Ti5Si3Ti-SiC粉体颗粒，其中，还原处理温度为200～400℃，还原时间为2～4h。
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