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龙图腾网获悉天目山实验室申请的专利一种热压快速烧结制备(Zr_xTa_1-xB₂)-SiC抗氧化陶瓷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117586023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311559678.9，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种热压快速烧结制备(Zr_xTa_1-xB₂)-SiC抗氧化陶瓷的方法是由鲁园园;李露;于悦;马朝利设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种热压快速烧结制备(Zr_xTa_1-xB₂)-SiC抗氧化陶瓷的方法在说明书摘要公布了：本发明属于超高温陶瓷设计及制备技术领域，具体为一种热压快速烧结制备ZrxTa1‑xB2‑SiC抗氧化陶瓷的方法，包括通过晶胞建模并进行几何结构优化，对晶胞中Si‑O键的态密度和布居数进行计算并进行成分优化，随后称量ZrB2、α‑SiC和TaB2三种超细粉末，利用行星式球磨机将粉末混合均匀进行预处理得到混合粉末；采用放电等离子烧结，采用阶梯升温工艺进行烧结并在预定温度保温除气，得到ZrxTa1‑xB2‑SiC抗氧化陶瓷。本发明通过引入TaB2形成ZrxTa1‑xB2固溶体，对陶瓷体系进行成分优化设计；并设计粉末预处理与放电等离子烧结，实现了高致密度、细晶高纯ZrxTa1‑xB2‑SiC陶瓷的快速制备，进一步提升其氧化防护能力。

本发明授权一种热压快速烧结制备(Zr_xTa_1-xB₂)-SiC抗氧化陶瓷的方法在权利要求书中公布了：1.一种热压快速烧结制备ZrxTa1-xB2-SiC抗氧化陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：组分设计，包括： S1.1：晶胞建模，选用高温石英β-SiO2为基础计算模型，将初级胞扩建至2×2×1叠放模型形成超胞，将B、Ta、Zr原子引入晶胞内形成掺杂结构； S1.2：对掺杂后的晶胞体系进行几何结构优化，选用泛函为GGA、PW91，BFGS法则与超软赝势，350eV截断能，符合掺杂原子与体系结构收敛要求，设定的收敛参数体系总能量小于10-6eVatom，最小原子力为k点网格小于0.001eV1×1超晶胞； S1.3：对晶胞中Si-O键的态密度和布居数进行计算，包括： S1.3.1：对不同Zr掺杂方式的B-SiO2晶胞进行结构稳定性优化调整，并采用优化后的结果进行溶解能计算； S1.3.2：对不同Ta掺杂方式的B-SiO2晶胞进行结构稳定性优化调整，并采用优化后的结果进行溶解能计算； S1.3.3：分析Ta掺杂B-Si-O玻璃后对玻璃稳定性的影响，选取B-SiO2晶胞、Ta取代掺杂B-SiO2晶胞进行布居数和态密度计算； S1.4：根据计算结果，得到ZrB2-SiC体系抗氧化陶瓷的优化成分； S2：依据S1设计的组分，进行ZrxTa1-xB2-SiC抗氧化陶瓷制备，包括： S2.1混合粉体预处理：称量ZrB2、α-SiC和TaB2三种超细粉末，保持ZrB2、SiC粉末体积比4：1，ZrB2粉末与α-SiC粉末的粒径比为3:1，加入TaB2粉末，利用全方位行星式球磨机将粉末混合均匀得到混合粉末，TaB2粉末在混合粉末的占比为10vol.％； S2.2烧结预处理：准备放电等离子烧结所需的模具，使压头与模具内壁紧密配合， 将经过预处理后得到的混合粉末倒入模具中并平铺均匀； S2.3陶瓷制备：将组装好的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结，设定烧结温度为1600-1900℃，升温速率为50-100℃min，烧结压力为30-50MPa，采用阶梯升温工艺， 第一阶段为升温到800℃后保温5-30min，第二阶段为升温到1400℃后保温5-30min，第三阶段为升温到1600-1900℃后保温5-30min，烧结完成后待炉内温度冷却至40℃以下取出，得到ZrxTa1-xB2-SiC抗氧化陶瓷。

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