拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司王燚获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种薄膜沉积装置、方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311286349.1，技术领域涉及：C23C14/50；该发明授权一种薄膜沉积装置、方法及存储介质是由王燚;吴凤丽设计研发完成，并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜沉积装置、方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜沉积装置、方法及存储介质。所述薄膜沉积装置包括：至少一个工艺腔室，其中配置有承载晶圆以进行薄膜沉积工艺的晶圆托盘；以及旋转机构，连接所述至少一个工艺腔室中的晶圆托盘，以经由所述晶圆托盘带动其承载的晶圆在对应的工艺腔室中旋转。基于上述装置，本发明可以在不对工艺腔室内的晶圆进行取放情况下，改善薄膜沉积的均匀性，从而提升薄膜性能以及沉积效率。
本发明授权一种薄膜沉积装置、方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括： 多个工艺腔室，其中各所述工艺腔室中分别配置有承载晶圆以进行薄膜沉积工艺的晶圆托盘；以及 旋转机构，连接各所述工艺腔室中的晶圆托盘，以经由所述晶圆托盘带动其承载的晶圆在对应的工艺腔室中旋转，其中，所述旋转机构包括主动旋转机构及从动旋转机构，所述主动旋转机构中包括沿旋转轴延伸的传动杆及垂直所述旋转轴的多个旋转桨，所述从动旋转机构中包括环绕于所述晶圆托盘边缘的多个卡口，所述多个旋转桨的末端随所述主动旋转机构的旋转而分别伸入对应的卡口，以带动各所述晶圆托盘在对应的工艺腔室中旋转。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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