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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种MOCVD腔体保养恢复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168059.0，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种MOCVD腔体保养恢复方法是由马野;马昆旺;刘恒山;宋水燕;贺卫群设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOCVD腔体保养恢复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种MOCVD腔体保养恢复方法，包括如下步骤：S2：设定反应腔温度1000℃‑1200℃，压力150Torr‑300Torr，持续30‑60分钟；S3：向反应腔中通入三乙基镓和CP2Mg，持续15‑30分钟；S4：向反应腔中通入三乙基镓和CP2Mg；持续60‑90分钟；本发明的有益效果在于：本发明中的将烘烤温度以及时间设置在适合清除反应腔的薄膜中容易掺Mg的杂质的区间内。故本发明的方法使用更少的工序以及更少的时间使后续生产的LED芯片中的Mg的掺杂浓度得到更多的提高，进而使生产LED芯片的工序使用更少的成本而得到质量尽可能高的LED芯片。

本发明授权一种MOCVD腔体保养恢复方法在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD腔体保养恢复方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将H2和N2作为MOCVD的反应腔的载气，设定反应腔温度500℃-800℃，持续45-120分钟； S2：设定反应腔温度1000℃-1200℃，压力150Torr-300Torr，向反应腔中通入35000-45000sccm的H2和10000-20000sccm的N2和50000-60000sccm的NH3，持续30-60分钟； S3：将H2和N2作为反应腔的载气，NH3作为反应腔的反应气体，并向反应腔中通入750-1000sccm的三乙基镓和1000-2000sccm的CP2Mg，持续15-30分钟； 所述S3具体为：设定反应腔温度900℃-1000℃，压力200Torr-400Torr，向反应腔中通入7500-15000sccm的H2、7500-15000sccm的N2、20000-30000sccm的NH3、750-1000sccm的三乙基镓和1000-2000sccmCP2Mg，持续15-30分钟； S4：将H2和N2作为反应腔的载气，NH3作为反应腔的反应气体，并向反应腔中通入1500-2000sccm的三乙基镓和2000-4000sccm的CP2Mg；持续60-90分钟； 所述S4具体为：设定反应腔温度900℃-1000℃，压力200Torr-400Torr，向反应腔中通入7500-15000sccm的H2、7500-15000sccm的N2、20000-30000sccm的NH3、1500-2000sccm的三乙基镓和2000-4000sccmCP2Mg；持续60-90分钟； S5：完成MOCVD腔体保养后恢复工作。

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