之江实验室张苗苗获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092618.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件是由张苗苗;玉虓;韩根全设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括：提供硅晶圆，硅晶圆包括依次层叠设置的硅顶层、掩埋氧化物层及硅基底层；将硅晶圆进行刻蚀，刻蚀方向为由硅顶层向掩埋氧化物层的垂直方向，得到具有凹槽的结构化复合衬底，凹槽包括贯穿硅顶层的第一凹槽，以及由第一凹槽延伸至掩埋氧化物层内部形成的第二凹槽，第二凹槽的深度小于掩埋氧化物层厚度；将结构化复合衬底在碳纳米材料、镓源及氧源环境条件下进行化学气相沉积，使镓源在第一凹槽内沉积生长，得到具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件。该制备方法使硅晶圆器件中氧化镓纳米结构形成高效电子传输通道，同时降低结晶层产生，避免电子在结晶层传输。
本发明授权具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 提供硅晶圆，所述硅晶圆包括依次层叠设置的硅顶层、掩埋氧化物层以及硅基底层； 将所述硅晶圆进行刻蚀，刻蚀方向为由硅顶层向掩埋氧化物层的垂直方向，得到具有凹槽的结构化复合衬底，其中，所述凹槽包括贯穿所述硅顶层的第一凹槽，以及由所述第一凹槽延伸至所述掩埋氧化物层内部形成的第二凹槽，且所述第二凹槽的深度小于掩埋氧化物层的厚度； 将所述结构化复合衬底在碳纳米材料、镓源以及氧源环境的条件下进行化学气相沉积，使所述镓源在所述第一凹槽内沉积生长，得到具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件，所述碳纳米材料选自纳米金刚石、碳纳米管中的至少一种，所述镓源选自氧化镓粉末。
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