湘潭大学胡金勇获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利基于Au/SnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115974135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211610278.1，技术领域涉及：G01N27/407；该发明授权基于Au/SnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器及其制备方法是由胡金勇;罗顺华;张佳伟;张勇设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于Au/SnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于AuSnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器及其制备方法，以具有异质结构的AuSnS2纳米复合材料作为敏感材料，并滴涂在叉指电极上形成敏感层制备气体传感器，并在气体传感器上方设置光源，对气体传感器发出420nm波长的光，外加光场调制增强了传感器对NO2的响应并且抑制了传感器对NH3等干扰气体的响应，从而实现对AuSnS2气体传感器选择性的增强。
本发明授权基于Au/SnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于AuSnS2纳米复合材料的可见光调制的高选择性NO2气体传感器，其特征在于，包括由具有多个叉指电极的Al2O3衬底和叉指电极上的敏感材料组成的气体传感器，所述气体传感器的上方设有光源，用于在检测时面向气体传感器发出420nm波长范围的光，提供可见光调制环境，通过在420nm下的可见光调制下，实现在NO2与NH3混合气体中气体传感器对NO2的选择性探测； 其中，所述敏感材料为具有异质结构的AuSnS2纳米复合材料，所述AuSnS2纳米复合材料中，Au纳米颗粒附着在SnS2的（100）面上，具有异质结构的AuSnS2纳米复合材料包括呈现六方相的片状结构的SnS2纳米片，所述SnS2纳米片表面附着Au纳米颗粒，形成异质结。
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