厦门市三安集成电路有限公司王伟强获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种多材料层芯片的激光切割后处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211278613.2，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种多材料层芯片的激光切割后处理方法是由王伟强;魏鸿基;何先良设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多材料层芯片的激光切割后处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多材料层芯片的激光切割后处理方法，其晶圆具有夹设于两GaAs材料层之间的InGap层，进行激光切割处理后芯片边缘附着有激光切割形成的重铸层，依次进行针对InGap的第一蚀刻和针对GaAs的第二蚀刻，并重复第一蚀刻和第二蚀刻至去除重铸层。通过交替循环进行步进式蚀刻，解决了切割道残留碎屑毛边的问题，防止较长的残余材料层断裂形成锋利的碎屑对芯片表面造成的划伤，提高了产品良率。
本发明授权一种多材料层芯片的激光切割后处理方法在权利要求书中公布了：1.一种多材料层芯片的激光切割后处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对经过器件制程的晶圆进行激光切割处理，形成独立的芯片，芯片边缘附着有激光切割形成的重铸层；所述晶圆为GaAs基晶圆，且具有夹设于两GaAs材料层之间的InGap层； 2采用H3PO4:HCl＝1:2～8的蚀刻液对InGap进行第一蚀刻，蚀刻后进行清洗； 3采用NH4OH:H2O2:H2O＝0.5～3:0.5～3:10的蚀刻液对GaAs进行第二蚀刻，蚀刻后进行清洗； 4依次重复步骤2和步骤3的步骤至去除所述重铸层，其中第一蚀刻的总时间为10～60s，第二蚀刻的总时间为30～120s。
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