中国人民解放军国防科技大学罗鸣宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种中红外探测结构及多波段可调的吸波结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211273278.7，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种中红外探测结构及多波段可调的吸波结构是由罗鸣宇;杨俊波;张振荣设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中红外探测结构及多波段可调的吸波结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种中红外探测结构，包括由下往上依次层叠的硅层、金层、氧化铝层和金阵列层，所述金阵列层上开设有周期性分布的狭缝，所述狭缝将金阵列层分割成多个周期阵列的长方形金阵元，所述金阵列层沿阵列方向的两端设有半个狭缝，所述狭缝用于泄露金阵列层和氧化铝层激发的表面等离激元共振产生的局部能量，以平衡整个探测结构的吸收率辐射率，所述氧化铝层作为一个电容器，通过调整氧化铝层的厚度和长方形金阵元的阵列周期的来红移吸收峰；本发明提供的中红外探测结构的尺寸小，厚度薄，结构简单，能实现更微小化的加工，更利于实际工业生产中的集成化组装。
本发明授权一种中红外探测结构及多波段可调的吸波结构在权利要求书中公布了：1.一种中红外探测结构，其特征在于：包括由下往上依次层叠的硅层、金层、氧化铝层和金阵列层，所述金阵列层上开设有周期性分布的狭缝，所述狭缝将金阵列层分割成多个周期阵列的长方形金阵元，所述金阵列层沿阵列方向的两端设有半个狭缝，所述狭缝用于泄露金阵列层和氧化铝层激发的表面等离激元共振产生的局部能量，以平衡整个探测结构的吸收率辐射率，所述氧化铝层作为一个电容器，通过调整氧化铝层的厚度和长方形金阵元的阵列周期的来红移吸收峰； 在3-5μm和8-12μm分别有一个吸收峰； 所述硅层和氧化铝层通过射频溅射获得，金层通过直流溅射获得； 从下往上分别为：硅层的厚度为100nm，金层的厚度为50nm，氧化铝层的厚度为20nm，金阵列层的厚度为50nm，长方形金阵元的宽度为2μm，所述长方形金阵元的阵列周期为2.1μm，所述狭缝的宽度为100nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410003 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号