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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种基于负阻技术的高增益运放电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211095646.3，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种基于负阻技术的高增益运放电路是由白春风;潘成生设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于负阻技术的高增益运放电路在说明书摘要公布了：本发明公开的一种基于负阻技术的高增益运放电路，包括辅助运算放大器A、多个P型MOS管与多个N型MOS管、电流源IB1与电流源IB2；多个P型MOS管分别记为PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3；多个N型MOS管分别记为NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4；所述电流源IB1的输入端与所述电流源IB2的输入端均连接电源电压，PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极连接后，并一同连接至电流源IB1输出端，所述PMOS管P1的漏极连接NMOS管N3的漏极。

本发明授权一种基于负阻技术的高增益运放电路在权利要求书中公布了：1.一种基于负阻技术的高增益运放电路，包括：辅助运放A、多个P型MOS管与多个N型MOS管、电流源IB1与电流源IB2；其特征在于， 多个P型MOS管分别记为PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3；多个N型MOS管分别记为NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4； 所述电流源IB1的源端与所述电流源IB2的源端均连接电源电压，PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极连接后，并一同连接至电流源IB1的输出端，所述PMOS管P1的漏极连接NMOS管N3的漏极，并连接NMOS管N1、N2的栅极； PMOS管P2的漏极连接PMOS管P3的源极，PMOS管P3的漏极连接NMOS管N2的漏极，并连接辅助运放A的同相输入端，NMOS管N1、N2的源极连接NMOS管N4的源极，并一同接地，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的漏极，NMOS管N4的漏极连接至电流源IB2的输出端； NMOS管N3的栅极连接辅助运放A的输出端，NMOS管N3的源极连接NMOS管N1的漏极，并一同连接辅助运放A的反相输入端； PMOS管P1的栅极连接至电压输入端Vinn，PMOS管P2的栅极连接至电压输入端Vinp，PMOS管P3的栅极接地。

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