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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种AlGaN/Nb₂C基紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211064807.2，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种AlGaN/Nb₂C基紫外光电探测器及其制备方法是由王文樑;李林浩设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN/Nb₂C基紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaNNb2C基紫外光电探测器及其制备方法，所述AlGaNNb2C基紫外光电探测器包括在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂Ga极性面AlN缓冲层和非掺杂Ga极性面AlxGa1‑xN层的紫外光电探测器外延片和设置在所述紫外光电探测器外延片上的绝缘层、欧姆接触电极和肖特基接触电极以及利用阵列凸台设计间隔台面，其中，x＝0.5～0.8，肖特基接触电极采用二维Nb2C材料制备，绝缘层为Al2O3绝缘层。本发明提供的AlGaN紫外光电探测器，提高了AlGaN紫外光电探测器在紫外日盲波段的响应度和探测率。

本发明授权一种AlGaN/Nb₂C基紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaNNb2C基紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂Ga极性面AlN缓冲层和非掺杂Ga极性面AlxGa1-xN层，得到紫外光电探测器外延片并进行处理；其中，x=0.5~0.8； 对处理后的紫外光电探测器外延片进行光刻，得到隔离图案；对光刻后的紫外光电探测器外延片进行刻蚀，沿隔离图案刻蚀出凹槽； 通过掩模版对准，在所述非掺杂Ga极性面AlxGa1-xN层上的一侧进行光刻，在所述非掺杂Ga极性面AlxGa1-xN层上制备绝缘层图案；将制备有绝缘层图案的紫外光电探测器外延片置于电子束蒸发设备中，蒸镀绝缘层，得到绝缘层，对制备有绝缘层的紫外光电探测器外延片进行处理； 通过掩模版对准，在所述绝缘层上和所述非掺杂Ga极性面AlxGa1-xN层上的另一侧分别进行光刻，得到欧姆接触电极图案；将制备有欧姆接触电极图案的紫外光电探测器外延片置于电子束蒸发设备中，蒸镀欧姆接触电极金属，得到欧姆接触电极金属，对制备有欧姆接触电极金属的紫外光电探测器外延片进行处理； 通过掩模版对准，在所述绝缘层一侧的欧姆接触电极金属上，以及所述绝缘层、欧姆接触电极的内侧面和所述非掺杂Ga极性面AlxGa1-xN层上，进行光刻，得到肖特基接触电极图案；将制备出肖特基接触电极图案的紫外光电探测器外延片置于载玻片上，将Nb2CTx液滴滴在AlGaN整流器外延片的表面上，并使其均匀地覆盖，加热放置定型后，得到肖特基接触电极，从而制得AlGaNNb2C基紫外光电探测器，其中，Nb2CTx液滴的浓度为0.05~0.1gmL，加热温度为50~70℃，所述绝缘层为Al2O3绝缘层。

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