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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210269980.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片是由万志;王莎莎;尧刚;卓祥景;程伟设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN‑AlGaN‑AlN复合层状结构；所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN‑AlGaN‑AlN复合结构的整体设计，再配合P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。

本发明授权一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底，及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、P型复合层以及P型半导体层； 其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层； 最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构； 所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层； 其中，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层； 其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场； 所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入； 所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。

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