联华电子股份有限公司陈禹钧获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010717276.7，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权半导体元件及其制作方法是由陈禹钧;刘彦群;冯雅圣;邱久容;曾奕铭;施易安;李怡慧;朱中良;胡修豪设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含磁阻式随机存取存储器MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM区以及逻辑区定义于基底上，第一金属内连线设于MRAM区，第二金属内连线设于逻辑区，停止层由第一金属内连线延伸至第二金属内连线且第一金属内连线上的停止层以及第二金属内连线上的停止层包含不同厚度以及一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ设于第一金属内连线上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 基底，包含磁阻式随机存取存储器MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM区域以及逻辑区域； 第一金属内连线，设于该磁阻式随机存取存储器区域； 第二金属内连线，设于该逻辑区域； 停止层，由该第一金属内连线延伸至该第二金属内连线，其中该第一金属内连线上的该停止层的厚度大于该第二金属内连线上的该停止层的厚度，且该第一金属内连线上的该停止层的顶表面为平坦表面；以及 磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ，设于该第一金属内连线上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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