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龙图腾网获悉武汉杰开科技有限公司申请的专利一种输出缓冲器和源极驱动器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113890527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010636281.5，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种输出缓冲器和源极驱动器是由钟汶林设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输出缓冲器和源极驱动器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种输出缓冲器和源极驱动器，该输出缓冲器包括前置驱动电路、输出级电路、第一栅极驱动增强电路和第二栅极驱动增强电路；前置驱动电路包括第一或门和第一与门；输出级电路包括第一P型晶体管和第一N型晶体管，第一P型晶体管的栅极VPG通过第一栅极驱动增强电路与第一或门的输出端连接，第一栅极驱动增强电路用于向第一P型晶体管的栅极VPG增加过驱动电压以增强第一P型晶体管的驱动能力；第一N型晶体管的栅极VNG通过第二栅极驱动增强电路与第一与门的输出端连接，第二栅极驱动增强电路用于向第一N型晶体管的栅极VNG增加过驱动电压以增强第一N型晶体管的驱动能力。上述方案，能够增强输出级的驱动能力。

本发明授权一种输出缓冲器和源极驱动器在权利要求书中公布了：1.一种输出缓冲器，其特征在于，所述输出缓冲器包括前置驱动电路、输出级电路、第一栅极驱动增强电路和第二栅极驱动增强电路； 所述前置驱动电路包括第一或门和第一与门； 所述输出级电路包括一第一P型晶体管和一第一N型晶体管；所述第一P型晶体管的栅极VPG通过所述第一栅极驱动增强电路与所述第一或门的输出端连接，所述第一栅极驱动增强电路用于向所述第一P型晶体管的栅极VPG增加过驱动电压以增强所述第一P型晶体管的驱动能力；所述第一N型晶体管的栅极VNG通过所述第二栅极驱动增强电路与所述第一与门的输出端连接，所述第二栅极驱动增强电路用于向所述第一N型晶体管的栅极VNG增加过驱动电压以增强所述第一N型晶体管的驱动能力； 所述第一栅极驱动增强电路包括第三反相器、第四反相器、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管和第一升压电容； 所述第三反相器、所述第四反相器和所述第一升压电容依次串联连接，所述第三反相器的输入端与所述第一或门的输出端连接； 所述第二P型晶体管的源极与VDDIO接口相连接，所述第二P型晶体管的漏极和所述第二N型晶体管的漏极相连接，所述第二P型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极分别连接于所述第三反相器的输出端； 所述第三P型晶体管、所述第四N型晶体管和所述第三N型晶体管依次串联连接，所述第三N型晶体管的栅极与所述第二P型晶体管的漏极相连接，所述第二N型晶体管的源极和所述第一升压电容远离所述第四反相器的一端分别连接于所述第三N型晶体管的漏极。

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