意法半导体股份有限公司R·卡尔米纳蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111320131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911279449.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备是由R·卡尔米纳蒂;S·克斯坦蒂尼;R·吉亚诺拉;L·蒙塔格纳;F·M·C·卡尔皮格纳诺设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备在说明书摘要公布了：MEMS设备通过以下方式获得：在半导体本体上形成临时偏置结构；以及在半导体本体上形成致动线圈，致动线圈至少具有一个第一端匝、一个第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间，并且通过临时偏置结构被电耦合至第一端匝。以此方式，在电镀生长期间中间端匝以与第一端匝近似相同的电势被偏置，并且在生长结束时，致动线圈具有近似均匀的厚度。在电镀生长结束时，临时偏置结构的部分被选择性地去除，以将第一端匝与中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，虚设偏置区域与第一端匝相邻。
本发明授权具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备在权利要求书中公布了：1.一种用于制造MEMS设备的方法，所述方法包括： 在半导体本体上形成临时偏置结构； 在所述半导体本体上形成致动线圈，所述致动线圈具有第一端匝、第二端匝、以及中间匝，所述中间匝被布置在所述第一端匝和所述第二端匝之间，并且通过所述临时偏置结构被电耦合至所述第一端匝； 选择性地去除所述临时偏置结构的部分，从而将所述第一端匝与所述中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，所述虚设偏置区域与所述第一端匝相邻；以及 选择性地去除所述半导体本体的部分，以限定固定结构、悬置结构和支撑结构，所述悬置结构承载所述致动线圈并且由所述固定结构承载，所述支撑结构将所述悬置结构耦合到所述固定结构，并且配置为允许所述悬置结构相对于所述固定结构具有至少一个自由度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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