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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110894060B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910858240.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法是由S·克斯坦蒂尼;D·阿斯萨内利;A·L·博尔托洛蒂;M·维梅尔卡蒂;I·瓦里斯科设计研发完成，并于2019-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法在说明书摘要公布了：本申请的实施方式涉及用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。

本发明授权用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造微机电装置的方法，包括： 通过前表面和后表面界定第一半导体晶片； 利用底部介电区域覆盖所述后表面； 穿过所述底部介电区域形成至少一个第一底部窗口； 形成底部半导体区域，所述底部半导体区域包括至少一个第一主子区域和次子区域，所述第一主子区域延伸穿过所述第一底部窗口并与所述第一半导体晶片接触，所述次子区域覆盖所述底部介电区域并且侧向围绕所述第一主子区域； 从所述前表面开始选择性地去除部分所述第一半导体晶片，以便形成第一顶部腔室和第二顶部腔室，所述第一顶部腔室和所述第二顶部腔室延伸至所述底部介电区域并且侧向界定固定支撑本体和图案化结构，所述图案化结构包括中心部分和与所述底部介电区域接触的多个可变形部分，所述中心部分接触所述底部半导体区域的所述第一主子区域，所述可变形部分被插入在所述中心部分和所述固定支撑本体之间； 选择性地去除部分所述底部半导体区域，以便形成底部腔室，所述底部腔室延伸穿过所述底部半导体区域直至所述底部介电区域，并且侧向界定包括所述底部半导体区域的所述第一主子区域的加强区域，所述底部腔室也侧向延伸，以暴露与所述可变形部分接触的部分所述底部介电区域和界定所述第一顶部腔室和所述第二顶部腔室的部分所述底部介电区域；以及 选择性地移除由所述底部腔室暴露的部分所述底部介电区域，使得所述第一顶部腔室和所述第二顶部腔室以及所述底部腔室形成整个腔室，所述图案化结构被悬挂在所述整个腔室内部。

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