启元实验室邢飞获国家专利权
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龙图腾网获悉启元实验室申请的专利集成磁传感器的电磁MEMS执行器的位移控制系统及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120185330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510662935.4，技术领域涉及：H02K41/035；该发明授权集成磁传感器的电磁MEMS执行器的位移控制系统及制备方法是由邢飞;赵晓光;张俊杰;鲁文帅;边潍;杜军;卢晓锐设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成磁传感器的电磁MEMS执行器的位移控制系统及制备方法在说明书摘要公布了：一种集成磁传感器的电磁MEMS执行器的位移控制系统及制备方法，涉及电磁MEMS执行器技术领域。位移控制系统可以包括线圈驱动模组、电磁MEMS执行器、至少一个磁传感器和信号处理单元。电磁MEMS执行器包括永磁体和微动结构。永磁体在线圈驱动模组的驱动下运动；微动结构与永磁体固定连接；至少一个磁传感器与微动结构设置于同一衬底表面，且设置在微动结构的一侧，采集永磁体运动时所产生的磁位移信号，以根据磁位移信号生成电信号；信号处理单元根据电信号生成控制信号，将控制信号传输至线圈驱动模组，以使得线圈驱动模组根据控制信号控制永磁体运动，以控制微动结构的位移。本申请通过集成磁传感器和微动结构，位移控制系统具备闭环控制微动结构位移能力。
本发明授权集成磁传感器的电磁MEMS执行器的位移控制系统及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成磁传感器的电磁MEMS执行器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 制备磁传感器步骤； 制备电磁MEMS执行器的微动结构步骤； 连接永磁体和所述微动结构，以得到集成磁传感器的电磁MEMS执行器； 所述制备磁传感器步骤包括： 在衬底上制备第一钝化层； 在所述第一钝化层的第一位置设置磁性薄膜层组，其中，所述磁性薄膜层组包括第一电极层、磁性薄膜层和第二电极层，所述磁性薄膜层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第一电极层与所述第一钝化层相接触； 对所述磁性薄膜层组进行刻蚀处理，以得到第一预设形状的目标磁性薄膜层组，以得到所述磁传感器； 所述制备电磁MEMS执行器的微动结构步骤包括： 在所述衬底的第二位置对所述衬底和所述第一钝化层进行刻蚀处理，以得到具有第二预设形状的微动结构； 其中，所述第一位置位于所述第二位置的一侧。
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