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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利P+发射极、含有P+发射极的太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411889457.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权P+发射极、含有P+发射极的太阳能电池及制备方法是由安欣睿;高康;金竹;周声耀设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本P+发射极、含有P+发射极的太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及P+发射极、含有P+发射极的太阳能电池及制备方法。本发明提供的P+发射极的制备方法，采用低温沉积的手段分层沉积BSG，即第一膜层、第二膜层；其中，所述的第一膜层为具有硼源的掺杂层，且所述的第一膜层的厚度低，因此制备过程中所使用的特气耗量较少，所述第二膜层为二氧化硅层，其制备过程中无需特气，且沉积速率快；基于此，能够降低整体工艺的耗时、以及成本；此外，所述第一膜层、第二膜层为两个相互独立的功能层，增加了工艺、调试的灵活性。

本发明授权P+发射极、含有P+发射极的太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.P+发射极的制备方法，其特征在于，包括： 1）通过低温沉积在硅片表面形成第一膜层，所述第一膜层含有氧化硅和掺硼的非晶硅； 其中，所述第一膜层的厚度为5-15nm； 所述低温沉积的温度不超过600℃； 以所述掺硼的非晶硅和氧化硅总和为100wt%计算，第一膜层中所述掺硼的非晶硅的量为80-90wt%； 2）通过低温沉积在硅片表面形成第二膜层，所述第二膜层为氧化硅层，厚度为20-110nm； 所述低温沉积的温度不超过600℃； 3）对所述硅片表面进行激光处理，在所述激光处理的区域形成硼的重掺杂区； 若所述第二膜层的厚度为10≤厚度≤40nm，则激光处理的波长为300-500nm；若所述第二膜层的厚度为40＜厚度≤80nm，则激光处理的波长为520~800nm；若所述第二膜层的厚度为80＜厚度≤200nm，则激光处理的波长为850-1100nm； 4）利用含碱液体对所述硅片表面进行激光处理的区域进行刻蚀处理； 5）利用含酸液体对所述硅片表面进行刻蚀处理，去除第二膜层； 6）对所述硅片进行高温退火处理，使表面的第一膜层氧化；所述高温退火的温度范围为800-950°C，退火时间为0.2-1小时； 7）利用含酸液体对所述硅片表面进行刻蚀处理，去除高温形成的氧化硅； 最终，所述P+发射极的硼的重掺杂区的硼掺杂表面浓度为1e18-1e20cm-3、掺杂结深为200-2000nm、方阻为20-200Ωsq。

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