珠海市赛纬电子材料股份有限公司朱润栋获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海市赛纬电子材料股份有限公司申请的专利四氧杂硅螺环化合物及制备方法，及二次电池中应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119684342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411868862.6，技术领域涉及：C07F7/02；该发明授权四氧杂硅螺环化合物及制备方法，及二次电池中应用是由朱润栋;毛冲;王霹霹;莫德欢;戴晓兵;张彩霞;杨乐文;杨富杰设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本四氧杂硅螺环化合物及制备方法，及二次电池中应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种四氧杂硅螺环化合物及制备方法，及二次电池中应用。四氧杂硅螺环化合物为结构式1所示的化合物A。四氧杂硅螺环化合物的制备方法包括步骤：将式2所示的双三甲基硅烷基二酯化合物和第一溶剂混合形成第一混合溶液；将第一混合溶液进行降温；将四氯化硅滴加到第一混合溶液中，再于惰性气氛下加热反应并在反应过程中监控反应终点，反应结束后得到粗产物；将粗产物与第二溶剂混合并进行打浆提纯；该制备方法操作简单，目标产物的收率高，同时四氧杂硅螺环化合物具有良好的应用前景，可应用于二次电池中。
本发明授权四氧杂硅螺环化合物及制备方法，及二次电池中应用在权利要求书中公布了：1.一种四氧杂硅螺环化合物的制备方法，其特征在于，步骤包括： 1将式2所示的双三甲基硅烷基二酯化合物和第一溶剂混合形成第一混合溶液； 2将所述第一混合溶液进行降温至-20～10℃； 3将四氯化硅滴加到降温后的所述第一混合溶液中，再于惰性气氛下加热反应并在反应过程中监控反应终点，反应结束后得到粗产物，所述加热反应包括：于室温下进行反应2～3h； 4将所述粗产物与第二溶剂混合得到第二混合溶液，再对所述第二混合溶液打浆提纯；制得四氧杂硅螺环化合物； 其中，M选自O＝S＝O或C＝O，R选自CH2、CHF或CF2，TMS选自CH33Si；所述四氧杂硅螺环化合物为结构式1所示的化合物A： 其中M选自O＝S＝O或C＝O，R选自CH2、CHF或CF2。
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