采埃孚股份公司杨荣雪获国家专利权
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龙图腾网获悉采埃孚股份公司申请的专利功率模组、逆变器和电驱动系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223245621U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422603009.3，技术领域涉及：H01L25/07；该实用新型功率模组、逆变器和电驱动系统是由杨荣雪;李韩;施梁佳;朱峰;张英豪设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率模组、逆变器和电驱动系统在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电驱动技术领域，包括功率模组、逆变器和电驱动系统。功率模组包括嵌置在电路板中的多个芯片框架组件，每个芯片框架组件包括铜框架和嵌置在铜框架中的至少一个SiC芯片和至少一个硅基IGBT模块；其中：上桥SiC芯片的漏极及上桥硅基IGBT模块的发射极并联形成直流正极连接端，下桥SiC芯片的源极及下桥硅基IGBT模块的集电极并联形成直流负极连接端；上桥SiC芯片的源极连接下桥SiC芯片的漏极，上桥硅基IGBT模块的集电极连接下桥硅基IGBT模块的发射极，且各桥臂的连接节点并联形成交流连接端。本实用新型结合SiC芯片的高开关频率和低开关损耗的优点以及硅基IGBT模块的低成本和大电流低导通损耗的优点，实现提高功率模组的效率的同时，极大地降低成本。
本实用新型功率模组、逆变器和电驱动系统在权利要求书中公布了：1.一种功率模组，其特征在于，包括嵌置在电路板中的多个芯片框架组件，每个所述芯片框架组件包括铜框架和嵌置在所述铜框架中的至少一个SiC芯片和至少一个硅基IGBT模块； 所述功率模组包括上桥模组和下桥模组，其中： 所述上桥模组的各SiC芯片的漏极及各硅基IGBT模块的发射极并联形成直流正极连接端，所述下桥模组的各SiC芯片的源极及各硅基IGBT模块的集电极并联形成直流负极连接端； 所述上桥模组的SiC芯片的源极连接同桥臂的下桥模组的SiC芯片的漏极，所述上桥模组的硅基IGBT模块的集电极连接同桥臂的下桥模组的硅基IGBT模块的发射极，且各桥臂的连接节点并联形成交流连接端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人采埃孚股份公司，其通讯地址为：德国腓特烈港；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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