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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种产生低输入失调电压的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310210623.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种产生低输入失调电压的带隙基准电路是由孙大鹰;陈玉;魏鑫钰;王冲;顾文华设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种产生低输入失调电压的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种产生低输入失调的带隙基准电路，包括带隙基准电路、辅助运放电路以及斩波电路：所述带隙基准电路包括启动电路、带隙基准核心电路以及电压偏置电路；所述辅助运放电路包括极性可变跨导放大器，用于实现电压输入失调的降低；所述斩波电路包括离散时间低通滤波器、极性转换开关；所述离散时间低通滤波器用于滤除基准输出的高频信号，所述极性转换开关用于完成运算放大器的正负极性转换。本发明通过斩波电路以及辅助运放电路保证其等效输入失调电压呈现数量级的减少，并且辅助运放电路也使用输出以及输入储存技术保证辅助运放的低输入失调，从而保证带隙基准电路的输出电压的精确性，为后续模拟电路提供良好的带隙基准。

本发明授权一种产生低输入失调电压的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种产生低输入失调的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准电路、辅助运放电路以及斩波电路： 所述带隙基准电路包括启动电路、带隙基准核心电路以及电压偏置电路，所述启动电路用于防止简并点，所述带隙基准核心电路用于产生零温度系数的电压，所述电压偏置电路用于提供主运放工作的偏置电压； 所述辅助运放电路包括极性可变跨导放大器，用于实现电压输入失调的降低； 所述斩波电路包括离散时间低通滤波器、极性转换开关；所述离散时间低通滤波器用于滤除基准输出的高频信号，所述极性转换开关用于完成所述跨导放大器的正负极性转换； 所述辅助运放电路包括： 第一电容CB1、第二电容CC1、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、第十六开关S16、第十七开关S17、第二十PMOS管M0A、第二十一PMOS管M1A、第二十二PMOS管M2A、第二十三PMOS管M3B、第二十四PMOS管M4B、第二十五PMOS管M0C、第二十六PMOS管M1C、第二十七PMOS管M2C、第二十八PMOS管M3C、第二十九PMOS管M4C、第三十PMOS管M5C、第三十一PMOS管M6C、第十三NMOS管M3A、第十四NMOS管M4A、第十五NMOS管M0B、第十六NMOS管M1B、第十七NMOS管M2B、第十九NMOS管M7C、第二十NMOS管M8C、第二十一NMOS管M9C和第二十二NMOS管M10C； 所述第二十PMOS管M0A栅极接偏置电压VBIAS1，源极接电源，漏极与第二十一PMOS管M1A以及第二十二PMOS管M2A的源极相接； 所述第二十一PMOS管M1A的栅极与第一开关S1左端接控制信号VP，漏极与第十三NMOS管M3A的栅极及漏极相接； 所述第二十二PMOS管M2A的栅极与第一开关S1右端以及第二开关S2下端相接，漏极与第十四NMOS管M4A以及第十五NMOS管M1B和第二十三PMOS管M3B的漏极相接，并且也与第三开关S3的左端以及第四开关S4的左端相接； 所述第十三NMOS管M3A漏极与第十四NMOS管M4A的漏极相接于地；所述第二十三PMOS管M3B栅极与第二十四PMOS管M4B栅极以及漏极相接，源极与第二十四PMOS管M4B源极接电源； 所述第十六NMOS管M1B栅极通过第一电容CB1接地，且与第三开关S3的右端相接，源极与第十七NMOS管M2B的源极相接于第十五NMOS管M0B的漏极； 所述第十七NMOS管M2B的栅极与第十五NMOS管M0B的源极相接于地； 所述第十五NMOS管M0B栅极接偏置电压VBIAS2；第二十五PMOS管M0C的栅极接偏置电压VBIAS1，源极与第二十八PMOS管M3C以及第二十九PMOS管M4C的源极相接于电源，漏极与第二十六PMOS管M1C以及第二十七PMOS管M2C的源极相接； 所述第二十六PMOS管M1C栅极与第四开关S4的右端相接，且与第五开关S5的左端相接，漏极与第十九NMOS管M7C的源极以及第二十一NMOS管M9C的漏极相接； 所述第二十七PMOS管M2C栅极通过第二电容CC1接地且与第十六开关S16左端相接，漏极与第二十NMOS管M8C的源极以及第二十二NMOS管M10C的漏极相接； 所述第十六开关S16右端与第三十一PMOS管M6C的漏极以及第二十NMOS管M8C的漏极和第十七开关S17的左端相接，第十七开关S17的右端与控制信号VOUT相接；所述第五开关S5右端接地； 所述第二十八PMOS管M3C栅极与第二十九PMOS管M4C的栅极相接于第三十PMOS管M5C的漏极以及第十九NMOS管M7C的漏极，漏极与第三十PMOS管M5C的源极相接； 所述第二十九PMOS管M4C的漏极与第三十一PMOS管M6C的漏极相接；所述第三十一PMOS管M6C的栅极与第二十九PMOS管M5C的栅极相接于偏置电压VBIAS3，漏极与第二十NMOS管M8C的漏极相接； 所述第十九NMOS管M7C栅极与第二十NMOS管M8C的栅极相接于偏置电压VBIAS4； 所述第二十一NMOS管M9C栅极与第二十二NMOS管M10C的栅极接偏置电压VBIAS2，源极与第二十二NMOS管M10C的源极接地。

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