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龙图腾网获悉圆融光电科技股份有限公司;马鞍山杰生半导体有限公司申请的专利一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310141543.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法是由蔡武;康建;杨天鹏;陈向东设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法，涉及半导体光电器件技术；该元件包括：衬底以及在衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体；电压调控层包括由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层；第三禁带层的参数大于或等于第一禁带层的参数；第一禁带层的参数大于或等于第二禁带层的参数；第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；第三设定范围处于第二设定范围内；第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于第二禁带层的元素掺杂浓度；本发明在不影响光电性能情况下可控的调节工作电压。

本发明授权一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电压调控层的半导体发光元件，其特征在于，所述元件包括：衬底以及在所述衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体； 所述电压调控层包括：由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层； 所述第三禁带层的参数大于或等于所述第一禁带层的参数；所述第一禁带层的参数大于或等于所述第二禁带层的参数；所述参数，包括：禁带宽度和铝元素占比； 所述第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；所述第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；所述第三设定范围处于所述第二设定范围内；所述第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于所述第二禁带层的硅元素掺杂浓度； 所述第一禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第一设定范围； 所述第一设定范围为5e17-5e18atomscm3；所述第二设定范围为0-5e17atomcm3；所述第三设定范围为2e17-2e18atomscm3。

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